STW65N65DM2AG STW65N65DM2AG STW65N65DM2AG
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:50 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:25 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:27 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:446 W配置:Single通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101商标名:MDmesh封装:Tube高度:5.15 mm 长度:20.15 mm 产品:Power MOSFETs 系列:STW65N65DM2AG 类型:High Voltage 宽度:15.75 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:11.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:13.5 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:114 ns 典型接通延迟时间:33 ns 单位重量:38 g
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