STU6N62K3 STU6N62K3 STU6N62K3
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:620 VId-连续漏极电流:5.5 ARds On-漏源导通电阻:1.28 OhmsVgs - 栅极-源极电压:30 VQg-栅极电荷:34 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:90 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:SuperMESH封装:Tube高度:6.2 mm 长度:6.6 mm 系列:STU6N62K3 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:2.4 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:19 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:12.5 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:27 ns 典型接通延迟时间:13 ns 单位重量:4 g
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