STW57N65M5 STW57N65M5 STW57N65M5
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:42 ARds On-漏源导通电阻:63 mOhmsPd-功率耗散:250 W商标名:MDmesh封装:Tube系列:STW57N65M5 商标:STMicroelectronics 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 单位重量:38 g制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:42 ARds On-漏源导通电阻:63 mOhmsPd-功率耗散:250 W商标名:MDmesh封装:Tube系列:STW57N65M5 商标:STMicroelectronics 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 单位重量:38 g
询价
