STP38N65M5 STP38N65M5 STP38N65M5
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:95 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:25 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极电荷:71 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:190 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:MDmesh封装:Tube系列:STP38N65M5 商标:STMicroelectronics 下降时间:9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 单位重量:330 mg
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