STGWA25H120DF2 STGWA25H120DF2 STGWA25H120DF2
制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管技术:Si安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.5 V栅极/发射极电压:20 V在25 C的连续集电极电流:50 APd-功率耗散:375 W工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 C系列:STGWA25H120DF2商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:25 A 栅极—射极漏泄电流:250 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:600 子类别:IGBTs 单位重量:6.100 g
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