STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3
制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息 技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:1.2 kV集电极—射极饱和电压:1.85 V栅极/发射极电压:20 V在25 C的连续集电极电流:50 APd-功率耗散:375 W工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 C系列:STGWA25M120DF3封装:Tube集电极连续电流 Ic:25 A 商标:STMicroelectronics 栅极—射极漏泄电流:250 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:600 子类别:IGBTs 单位重量:38 g
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