STB3N62K3 STB3N62K3 STB3N62K3
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:620 VId-连续漏极电流:2.7 ARds On-漏源导通电阻:2.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:30 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:45 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:4.6 mm 长度:10.4 mm 系列:STB3N62K3 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:9.35 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:15.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6.8 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:22 ns 典型接通延迟时间:9 ns 单位重量:4 g
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