NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G
制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-88-6通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:295 mARds On-漏源导通电阻:1.6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:250 mW配置:Dual通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.9 mm 长度:2 mm 系列:NTJD5121N 晶体管类型:2 N-Channel 宽度:1.25 mm 商标:ON Semiconductor 下降时间:32 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:34 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:34 ns 典型接通延迟时间:22 ns 单位重量:6 mg
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