场效应管CSD19538Q3A德州TI全新原装现货
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场效应管CSD19538Q3A产品属性 ：
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 14.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 61 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.2 V
Qg-栅极电荷: 4.3 nC
工作温度: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 0.9 mm
长度: 3.15 mm
系列: CSD19538Q3A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3 mm
商标: Texas Instruments
下降时间: 2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
单位重量: 27.300 mg
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